一、场效应管的定义场效应管（FET）是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称为单极型晶体管
场效应管具有体积小、重量轻、寿命长、输入回路的内阻高、噪声低、热稳定性好以及抗辐射能力强等特点，因而在实际电路中被广泛使用
场效用分为结型和绝缘栅型两种不同的结构，有N沟道和P沟道两种类型
其类型和符号如下图所示
场效应管场效应管的主流封装二、场效应管的特性曲线输出特性曲线：描述当栅-源电压Ugs为常量时，漏极电流Id与漏-源电压Uds之间的函数关系
场效应管有三个工作区域：1）可变电阻区（也称非饱和区）：在下图中的虚线为预夹断轨迹，虚线的左侧区域内的曲线近似为不同斜率的直线，当Ugs确定时，直线的斜率也唯一确定，直线斜率的倒数为漏-源（d-s）间的等效电阻，因此在该区域内可以通过改变Ugs的大小来改变漏-源等效电阻的阻值，故称之为可变电阻区
2）恒流区（也称饱和区）：预夹断轨迹的右侧区域为恒流区
当Uds > Ugs-Ugs(off)时，各曲线近似为一簇横轴的平行线
因而可将Id近似为电压Ugs控制的电流源，故称为恒流区
利用场效应管作放大管时，应使其工作在该区域
3）夹断区：当Ugs < Ugs(off)时，导电沟道被夹断，Id=0，即图中靠近横轴的部分，称为夹断区场效应管输出特性曲线三、场效应管的主要参数1）开启电压Ugs(th)：是在Uds为一常量时，使id大于零所需的最小Ugs值
2）夹断电压Ugs(off)：是在Uds为一常量情况下id为规定的微小电流（如5uA）时的Ugs
3）饱和漏极电流Idss：对于结型场效应管在Ugs=0V情况下产生预夹断时的漏极电流
4）直流输入电阻Rgs：等于栅-源电压与栅极电流之比
5）低频跨导gm：数值的大小表示Ugs对Id控制作用的强弱
6）极间电容：场效应管的三个极之间均存在极间电容
通常，栅-源电容Cgs和栅-漏电容Cgd约为1～3pF，而漏-源电容Cds约为0.1～1pF，在高频电路中，应考虑极间电容的影响
7）最大漏极电流Idm：是管子正常工作时漏极电流的上限值
8）击穿电压：管子进入恒流区后，使id骤然增大的Uds称为漏-源击穿电压Udsbr，超过此值会使管子损坏
对于结型场效应管，使栅极与沟道间PN结反向击穿的Ugs为栅-源击穿电压Ugsbr；对于绝缘栅型场效应管，使绝缘层击穿的Ugs为栅-源击穿电压Ugsbr
9）最大耗散功率Pdm：Pdm决定了管子允许的温升，知道了管子所允许的最大功耗，在实际电路中需要考虑散热和功率的对应关系，确保管子不会因工作时温度上升而导致管子损坏
10）导通电阻Rds：场效应管导通后漏-源极之间的电阻，该电阻决定了场效应管的导通电流与耗散功率的大小，Rds越小其导通电流Ids越大，耗散功耗越小
FDS9958数据手册中的一些参数FDS9958数据手册中的一些参数