如何使用MEMS+沉积材料？高级工程师详讲
MEMS+里面上一步做了修改，下一步就需要更新蓝橙色的窗口，提醒需要更新
·更新了之后首先定义衬底，衬底需要用到硅，厚度是50微米
·接下来通过右键的方式添加，比如沉积一层多晶硅，用poly click的厚度是0.45毫米厚的多晶硅，用键盘输入的方式里面输入的多晶硅，这就是沉积的第一层底电极
通过右键修改，把它改成1214这种方式
·接下来再添加，比如mask，需要对它进行再添加一个mask，在这里右键layer table添加一个mask，mask需要对底电极进行图形化，把它命名为electrode，在electrode里面加一个layer，这就是electro layer
·看一下electro layer，GDS的number必须跟刚才看到版图里面的GDS底电极的GDS number必须要一样，底电极的GDS number就是1，它的layer是2，data是0，必须要跟它一样才能新的对应
·同样就会根据绿色的部分对10.45毫米厚的多晶硅进行图形化，这是底电解
·再在上面添加吸声层，吸声层还没有添加图形化，要delete掉
·然后添加Straight cut，Straight cut需要添加mask，就把electrode mask给它，这样就可以对刚才底电极进行图形化
·接下来再沉积一层吸声层，sacrifice，选择材料，在这里选择氧硅，厚度是1.6个微米，这是氧硅
·在上面再继续沉积结构层，就是PolySilick
通过类似这样的方式，把这里的工艺做出来